MODULE IGBT BSM75GD120DN2, BSM75GD120DLC INFENION 75A 1200V

Download catalog: IGBT BSM75GD120DN2

BSM75GD120DN2 là một mô-đun IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor) do Infineon Technologies sản xuất. Đây là một thiết bị bán dẫn mạnh mẽ được thiết kế cho các ứng dụng công suất cao và chuyển mạch hiệu quả. Mô-đun IGBT này thường được sử dụng trong các hệ thống điều khiển công suất, biến tần, và điều khiển động cơ.

Thông số Kỹ thuật Chính của BSM75GD120DN2

1. Loại: Mô-đun IGBT
2. Điện áp cực đại (Vce): 1200V
3. Dòng cực đại (Ic): 75A
4. Điện trở khi bật (Rce(on)): Khoảng 0.35Ω (tại nhiệt độ môi trường 25°C)
5. Công suất tỏa nhiệt tối đa (Ptot): 200W (tại điều kiện làm mát và nhiệt độ môi trường 25°C)
6. Nhiệt độ hoạt động: -40°C đến +150°C

Thông số kĩ thuật BSM75GD120N2

Đặc điểm

• Điện áp cực đại cao: Có khả năng chịu đựng điện áp lên tới 1200V, cho phép sử dụng trong các ứng dụng yêu cầu điện áp cao.
• Dòng điện cao: Có khả năng xử lý dòng điện lên tới 75A, lý tưởng cho các ứng dụng công suất lớn.
• Điện trở khi bật thấp: Điện trở khi bật thấp giúp giảm tổn thất năng lượng trong quá trình chuyển mạch, cải thiện hiệu suất tổng thể.

Ứng dụng

• Biến tần: Sử dụng trong các hệ thống biến tần để điều khiển tốc độ và công suất của động cơ điện.
• Điều khiển động cơ: Được dùng trong các bộ điều khiển động cơ để chuyển mạch và điều khiển dòng điện lớn.
• Hệ thống cung cấp năng lượng: Thích hợp cho các ứng dụng cung cấp năng lượng công suất lớn trong các hệ thống điện tử công nghiệp.

Sơ đồ cấu tạo mạch

Sơ đồ chân datasheet của BSM75GD120DN2

Sơ đồ mạch cấu tạo BSM75GD120N2

Kích thước

Kích thước BSM75GD120N2

Hỗ trợ tư vấn kỹ thuật,khắc phục sự cố & Báo giá thiết bị vui lòng gọi:

· Hotline : 0902148509

· Email: [email protected]